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近期要闻

强磁场中心实验发现高压诱导SrxBi2Se3超导电性再入

中国科学院强磁场科学中心利用高压和强磁场极端条件在拓扑绝缘体材料的量子序调控研究中取得重要进展，相关结果以“拓扑绝缘体Sr0.065Bi2Se3压力诱导的再入超导电性”为题，发表在美国物理评论杂志Physical Review B上。

2016-05-05

国家物联网基础标准传感器数据接口标准正式发布

国家标准化管理委员会发布2016年第7号公告，由中国科学院合肥物质科学研究院牵头承担编制的国家标准《信息技术 传感器网络 第702部分：传感器接口 数据接口》已通过国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会批准正式发布，标准号为GB/T 30269.702-2016，从2016年11月1日起实施。

2016-04-29

强磁场科学中心发现能够克服FLT3抑制剂耐药的AKT/FLT3-ITD双重靶点...

近日，强磁场中心科研人员通过高通量筛选技术，发现了一个能有效克服FLT3抑制剂耐药的小分子化合物A674563。该成果在医学学术期刊《Oncotarget》在线发表。

2016-04-27

强磁场中心开发出高选择性胃肠间质瘤抑制剂

中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心刘青松研究员课题组与刘静研究员课题组合作，开发出新一代针对胃肠间质瘤的高选择性激酶C-KIT抑制剂CHMFL-KIT-110。

2016-04-27

全国政协教科文卫体委员会调研强磁场科学中心

4月25日，全国政协教科文卫体委员会调研中科院强磁场科学中心，调研组组长为全国政协常委、全国政协教科文卫体委员会副主任、科技部原副部长、中科院院士程津培和全国政协教科文卫体委员会副主任、科技部原副部长陈小娅。中科院强磁场科学中心主任匡光力介绍了稳态强磁场实验装置建设情况，并带领调研组进行了实地参观，参观过程中还介绍了装置的开放共享、取得的成果以及强磁场中心的科学研究、人才队伍建...

2016-04-27

强磁场中心在斯格明子材料研究领域取得新进展

强磁场中心田明亮课题组从2010年一直致力于这个领域的研究，先后开展多项工作并取得系列重要成果，EPL、PRB、Nature Communications、Nano Letters、PNAS等期刊对研究结果进行了报道。

2016-04-06

高压调控拓扑电子材料研究取得新进展

强磁场中心、南京大学、北京高压科学研究中心的合作研究团队利用高压、强磁场极端条件在拓扑电子材料的量子序调控研究中取得重要进展，相关结果以“压力诱导三维拓扑材料ZrTe5超导电性”为题，发表在PNAS上。

2016-03-31

强磁场下的三维狄拉克半金属材料研究取得新进展

强磁场科学中心田明亮研究员课题组在稳态强磁场实验装置水冷磁体（~31 T）和极低温测试系统的支持下，在三维狄拉克半金属研究中取得重要进展，相关研究结果在线发表在美国物理学会Physical Review B上。

2016-03-17

复杂体系玻璃动态行为的实空间直接观测取得进展

研究人员以复杂氧化物的多重量子玻璃态为对象，利用高分辨的近场微波阻抗显微镜，首次对玻璃态的动态行为进行了直接观测。并通过时间、磁场、温度等参量变化，实现了对玻璃态的冻结、再入、以及相转换的清晰表征，获得了其相关规律，为该体系的机理探索与未来器件应用提供了基础。相关成果发表在PRL期刊上。

2016-02-24

基于电子顺磁共振方法的跨膜转运蛋白三维结构解析研究取得新进展

科研人员针对细菌氰根离子（CN-）解毒及跨膜转运重要蛋白硫氰酸酶YgaP，通过系统构建位点特异性电子自旋标记，应用电子顺磁共振，特别是脉冲双电子偶极耦合方法，首次成功解析了YgaP的全长三维结构，并通过EPR动态特性、顺磁增强分子易趋性分析、距离测量等分析方法研究了YgaP蛋白跨膜转运酶催化产物硫氰根离子(SCN-)的分子机制。

2016-02-21

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