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通知公告

（4.29）学术报告：石墨烯中各种拓扑电子态的最新进展

来源： 时间：2014-04-28

报告题目：石墨烯中各种拓扑电子态的最新进展
报告人：乔振华，中国科技大学教授
时间：2014年4月29日（周二）上午9:30
地点：强磁场中心大楼204
摘要：本报告包含以下两部分：（一）单层石墨烯中由Rashba自旋轨道耦合效应引起的量子反常霍尔效应的理论进展以及可能的实验原型探讨；双层石墨烯中由Rashba自旋轨道耦合效应导致的二维拓扑绝缘体的预言。（二）石墨烯体系中由外电场调控的一维拓扑受限电子态输运性质的研究：零弯曲阻力特性以及反常电流分配法则。
主讲人简介：乔振华教授于2005年毕业于山西大学获物理学士学位，2009年毕业于香港大学获博士学位。回国前在美国德克萨斯大学奥斯汀分校从事研究工作。现为中国科学技术大学物理系教授，入选中科院“百人计划”，是美国物理学会会员，《物理评论快报》（ Phys. Rev. Lett.）、《纳米快报》（ Nano Lett.）等多个杂志审稿人。
乔振华教授专注于低维介观电子输运研究以及拓扑物性的研究，近些年在石墨烯、拓扑绝缘体等领域做出了有国际影响力的工作。在《物理评论快报》（Phys. Rev. Lett.）、《纳米快报》（Nano. Lett.）、《物理评论B》（Phys. Rev. B）等杂志上发表论文二十余篇。
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