磁斯格明子用于构建高性能磁存储的一个基本设计是:利用自旋极化电流驱动纳米条带中整齐排列的磁斯格明子链的运动来实现信息的编码。这种设计原则上剔除了硬盘存储中的机械移动装置,并且可以构建三维的存储体系。因而,这种设计在理论上具有高速度、高密度的优点。然而,由于小样品在材料制备、磁结构实验观察存在很大的困难。
田明亮课题组的杜海峰研究员经过近三年时间的反复实验摸索,以金属螺旋磁体FeGe为具体研究对象,发展出了一套完整的纳米样品制备加工新方法,先后实现了在纳米条带和纳米盘受限几何下单个磁斯格明子的实空间观察及电探测(如Nano Lett.14, 2026−2032 (2014);Nat. Commun. 6, 7637(2015);Nat. Commun.6, 8504 (2015);PNAS113, 4918–4923(2016)等)。在前期研究的基础上,课题组通过与德国尤利西研究中心李子安博士以及Nikolai博士在纳米磁性材料的显微表征以及理论模拟方面开展合作,详细研究了FeGe楔形纳米条带中斯格明子的成核及演化行为。通过透射电子显微镜的电子全息模式,发现斯格明子在几何受限的情况下可以通过改变它的大小和椭偏率而稳定出现在宽度渐变的纳米条带中。结果表明在几何受限体系中斯格明子的形貌具有高度可调性,这一发现修正了人们以前普遍认为的磁斯格明子的尺寸具有“刚性”不可调性的认识,有助于构建斯格明子基存储器件。
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