10月20日,伊比利亚国际纳米科技实验室王中长高级研究员应邀做客强磁场科学论坛,做了题为“Atomic and Electronic Structure of Defects in Inorganic Materials”(无机材料中缺陷的原子电子结构)的学术报告,并参观了稳态强磁场实验装置。
无机材料中的表面和界面对其性能影响很大。已有大量研究表明,通过有效改变材料表面和界面,无机材料的诸多性能能得到有效地控制。但目前对于这种界面-性能关系的阐述并不明确,特别是在原子层面上。近年来,王中长团队致力于该关系的基础原理阐述,结合原子尺度表面界面表征技术及第一性原理计算方法来研究不同材料体系下的表面界面与性能的依存关系。王中长研究员的报告,首先介绍了TiO2表面以及Au/TiO2的接触界面对表面催化的影响,接着他讲述了单晶体Ruddlesden-Popper (RP)中的稀土La掺杂对其电性能的影响机理(从非金属到金属转变),报告的最后介绍了他们团队对界面结构中最基础现象晶界和位错的研究成果,其中涵盖:晶界对点缺陷的吸收诱发晶界超结构的形成机制以及超结构对材料性能的影响;单一位错在外部作用下(退火)原子结构和电子性能发生重构,形成有序晶界超结构;位错的基本形貌以及位错种类的计算预测和实验验证。
王中长,2007年获日本东京大学博士学位。2017年起,任伊比利亚国际纳米科技实验室高级研究员。一直从事无机材料的原子层面制备、表征、性能及第一性原理和分子动力学计算。在材料、相界面的基本原子结构与物理性能直接关联方面取得了较大进展。负责了19项包括日本国文部省科学研究费在内的国家和企业课题研究。在国际著名学术期刊Nature, Nature Nanotech.,Nature Commun.,Nano Lett., Adv. Mater., AngewChemie, ACS Nano., Phys. Rev.等上发表SCI检索论文190余篇。其中Nature以及子刊10篇。参与两部英文专著的撰写。在35个主要的国际会议上做邀请或者专题报告。相关研究成果荣获国际材料晶界与相大会年轻科学家奖等国际大奖。
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