6月24日,强磁场青年论坛第20讲在交叉科研楼207会议室开讲,活动邀请中心材料科学部研究员郑国林为大家带来了题为《全固态质子门电压技术在低维量子材料与器件中的应用》的学术报告。中心党委书记许安、青年职工和学生等参加了活动,活动由材料部副主任郝宁主持。
量子调控是新型量子功能材料物性研究的重要手段之一,对发现和理解量子材料中的新现象、寻找新规律、构筑新器件具有重要意义。在报告中,郑国林首先介绍了当前几种常见的门电压调控技术以及面临的一些挑战,随后还着重介绍了一种全固态的质子门电压调控技术以及其在低维量子材料与器件中的应用。报告结束后,郑国林还与与会人员进行了互动交流。活动结束前,许安为郑国林颁发了强磁场青年论坛纪念证书。
郑国林,强磁场科学中心项目研究员,2016年获中国科学技术大学理学博士学位,2016年9月至2022年2月分别在强磁场科学中心和澳大利亚皇家墨尔本理工大学从事博士后研究,2022年3月加入强磁场科学中心。先后主持并完成1项国家自然科学青年基金,1项中国博士后基金(一等)。主要从事低维量子器件的加工制备以及量子调控研究,在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Sci. Adv., Nano. Lett., Phys. Rev. B等核心期刊上发表20余篇论文,被引800余次。
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