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学术活动

新加坡南洋理工大学王澜博士和英国牛津大学陈玉林博士访问强磁场中心

来源： 时间：2012-07-27 作者：孔凤玉

7月24日，新加坡南洋理工大学王澜博士和英国牛津大学陈玉林博士访问强磁场中心，并分别做了题为“Transport study on nano-device of topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 and Ag2Te（Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 and Ag2Te拓扑绝缘作为体纳米器件的输运研究）”和“Visualization of Novel Electronic Structures in Topological Insulators（拓扑绝缘体中新颖电子结构的可视化）”的学术报告。
王澜博士主要介绍了近来在Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 and β-Ag2Te拓扑绝缘体作为纳米器件输运研究方面取得的重要成果，展示了Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2（BSTS）单晶纳米薄片器件中表面传输占主导的实验证据，在200nm厚的BSTS纳米薄片器件中，实现了99%的表面传输，并证明了其二维特性，其结果为实现基于拓扑表面态的新型电子自旋器件打开了一条通道，通过第一性原理计算和周期量子干涉效应证明了β-Ag2Te中的拓扑表面态。
陈玉林博士近年来在拓扑绝缘体的ARPES（angle-resolved photoemission spectroscopy）研究方面取得系列重要结果，成为该领域研究的杰出代表。他的报告展示了通过ARPES直接观察到的拓扑绝缘体的新奇电子结构，并对不寻常的拓扑表面态的进行操纵，进一步产生了其他新奇的拓扑态，比如量子反常霍尔态。并讨论了这些不寻常的材料在电子、自旋和能量相关的潜在应用。
拓扑绝缘体因其丰富奇特的电子特征，在未来电子器件中具有潜在的应用前景，因而成为凝聚态物理的研究热点。王澜和陈玉林博士希望能够和强磁场中心科研人员共同合作，设计和寻找新的拓扑绝缘体材料，探索强磁场下的新物性，从而推动该领域的发展。访问期间，王澜和陈玉林博士参观了“边建设、边运行”中的稳态强磁场实验装置和部分实验室。
王澜博士参观实验室

陈玉林博士作学术报告
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