石墨烯的缺陷工程
时间:2012年7月19日(周四)下午3:30
地点:强磁场科学中心5楼报告厅
摘要: 我们通过各种"defects"(包括原子缺陷、应力和双层的转角等)成功实现了石墨烯的能带结构和电学性质的调制。报告将介绍如下工作:(a)利用STM观察到一维原子缺陷在费米面处形成平带(flat bands);(b)系统地研究了转角对双层石墨烯范霍夫奇点的影响,证明了费米速度不随转角的改变而变化;(c)通过采用两种不同方法实现了双层石墨烯层间耦合强度的控制,调制了其能带结构和谷间散射;(d)在双层有转角的石墨烯上观察到应力(strain)引起的valley polarization和零外加磁场下的朗道量子化,,我们证明这一体系能实现零磁场下的室温quantum valley Hall effect。
报告人简介:
何林:男,1981年10月生, 2009年7月北京大学物理学院博士毕业并获博士学位,2009年8月起在北京师范大学物理学系工作, 现为副教授,2012年入选北京师范大学“京师英才”。何林一直从事低维体系的生长与物性研究,长期致力于研究低维体系由于表面/界面效应、量子受限效应、量子相干效应所表现出的新奇物理性质,已经在相关领域取得了一系列国际领先的创新成果。从2007年到现在,共发表60余篇高质量的SCI论文,其中影响因子3以上的论文超过30篇。
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